| 额定功率 | 200mW | 集电极电流Ic | 600mA |
| 集射极击穿电压Vce | 40V,60V | 晶体管类型 | NPN,PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 600mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 40V，60V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 1V @ 50mA，500mA / 1.6V @ 50mA，500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 10nA（ICBO） | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 150mA，10V |
| 功率 - 最大值 | 200mW | 频率 - 跃迁 | 300MHz，200MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 供应商器件封装 | SOT-363 |
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