| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 380mA |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 2Ω @ 500mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 370mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 380mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .3nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 25V |
| FET 功能 | - | 功率耗散（最大值） | 370mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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