ADP3654高电流和双通道高速驱动器能够驱动两个独立的N沟道功率MOSFET。该驱动器采用行业标准基底面，但增加了高速开关性能。该驱动器采用耐热性能增强型SOIC_N_EP和MINI_SO_EP封装，可在小型印刷电路板 （PCB） 面积内最大限度地提高高频和电流开关。
航空航天与国防 仪器仪表与测量 工业自动化技术
符合行业标准的引脚排列
高电流驱动能力
具有迟滞的精密UVLO比较器
3.3 V兼容输入
10 ns 典型上升时间和下降时间（2.2 nF 负载时）
通道间匹配的传播延迟
快速传播延迟
4.5 V 至 18 V 电源电压
可并联双路输出
额定结温范围为 −40°C 至 +125°C
耐热性能增强型封装，8 引脚SOIC_N_EP和 8 引脚MINI_SO_EP
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